001017207
100  $a                         y50      
101  $afre
2001 $aAnalyse et modélisation du transitoire MESFET micro- ondes par la méthode des éléments finis$bressource électronique
210  $aUniversité de Tlemcen - Abou Bekr Belkaid : Département Génie électrique et electronique$cUniversité de Tlemcen - Abou Bekr Belkaid$d17/01/2001
328 1$bMagister$cElectronique$eDépartement Génie électrique et electronique , Université de Tlemcen - Abou Bekr Belkaid$d17/01/2001
330  $aLes circuits micro-ondes se trouvent de plus en plus solliciter dans les domaines des radiocommunications mobiles, de la télévision haute définition par satellite, du radar anti- collision, de la localisation des mobiles,... Ce marché potentiel suscite un développement croissant des circuits intégrés monolithiques micro-ondes (MMIC). Une bonne connaissance des principes de fonctionnement des composants actifs devient donc indispensable aux concepteurs de circuits micro-ondes.
610  $atransistor MESFET Ga As, analyse, modélisation, méthode des éléments finis, schéma équivalent, petit signal, analyse de fourier.
700  $aKAMECHE, mohamed
701  $aArray
801 0$aDZ$bCERIST PNST
901$ac