| Etablissement | Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes | | Affiliation | Département d'Electronique | | Auteur | MOSTEFAOUI, Mohammed | | Directeur de thèse | H. Mansour-Mazari (Professeur) | | Co-directeur | S. Mansouri (Maitre de conférence) | | Filière | Microélectronique | | Diplôme | Doctorat | | Titre | Caractérisation et simulation des dispositifs à base de matériaux appartenant à la filière des nitrures de l’élément III | | Mots clés | Les matériaux III-V, Diode Schottky, Les alliage, HEMT | | Résumé | Les matériaux nitrurés d’éléments III : GaN, AlN, InN et leurs alliages sont présentés comme des semiconducteurs intéressants pour le développement de dispositifs électroniques et optoélectroniques. La recherche dans ces matériaux a été déclenchée en observant particulièrement certaines de leurs caractéristiques : leur large bande interdite directe, leur haute conductivité thermique, le champ de claquage élevé, leur grande stabilité mécanique et leur résistance aux radiations. Leur bande interdite est originellement l’une des propriétés les plus attrayantes. En effet, elle varie entre 0.7 eV pour l’InN et 6.2 eV pour l’AlN couvrant ainsi une gamme de longueurs d’onde unique concernant les semiconducteurs, de l’infrarouge proche jusqu’à l’ultraviolet lointain.
Actuellement la recherche s’oriente vers les dispositifs à base de matériaux semiconducteurs pouvant travailler dans les milieux hostiles, haute température, haute fréquence et haute puissance. Parmi les nouveaux matériaux prometteurs dans ce domaine, la recherche actuelle s’intéresse aux composés ternaires à base de semiconducteurs de l’élément III-nitruré tel que l’AlGaN. Ce semiconducteur, est beaucoup étudié en raison de son important potentiel dans les dispositifs électroniques comme les diodes, les transistors HEMTS, les capteurs et les cellules solaires.
Il est donc important de comprendre le fonctionnement des dispositifs à base de ce matériau moyennant une étude de ses propriétés électriques.
Le travail de cette thèse se rapporte sur la modélisation des caractéristiques I(V) et C(V) des structures métal/ matériaux nitrurés de l’élément III. Des caractérisations électriques telles que C(V) et I(V) seront effectuées à différentes températures. Les résultats expérimentaux seront comparés aux résultats obtenus par modélisation.
Des mesures de capacités et de conductances en fonction de la fréquence et des caractérisations physiques telle que la DLTS seront aussi effectuées sur ces structures.
Les résultats obtenus seront comparés aux résultats expérimentaux. L’analyse permettra de prévoir des optimisations physiques et technologiques qui mèneront à une amélioration des performances des dispositifs à base de ce matériau. | | Statut | Validé |
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