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Etablissement Université de Tébessa - Larbi Tébessi Affiliation Département Science de la matière Auteur FERDI, Assia Directeur de thèse Bensalem Rachid (Professeur) Filière Physique des Matériaux Diplôme Magister Titre Concentration atomique des impuretés implantées dans le GaAs par la méthode de Monté Carlo. Mots clés Concentration Atomique ; GaAs ; Monté Carlo ; Dopants ; Impuretés. Résumé Le profil de concentration atomique des impuretés implantées dans le GaAs par la méthode de mante Carl. L’implantation ionique dans le semiconducteur GaAs est à présent une technologie bien établie pour l’introduction d’impuretés à la surface d’un abstract et pour produire des régions actives de haute qualité pour la fabrication de circuits intégrés. La simulation du profil atomique des impuretés implantées dans le GaAs et d’autres matériaux est principalement basée sur la méthode de Monté Carlo. L’étude de l’interaction des ions accélérés à des énergies désirées avec le matériau cible permet de déterminer les paramètres fondamentaux ; distributions des atomes, désordre produit sur les mailles par l’emploi de divers potentiels atomiques pour bien comprendre les propriétés physique du solide après implantation. Basés sur la dynamique des collisions binaires élastiques, plusieurs programmes permettent d’étudier l’implantation ionique ; section efficace, pouvoir d’arrêt nucléaire et électronique, paramètre l’impact etc.), permettent de calculer la profondeur moyenne de pénétration, la déviation standard, l’endommagement des ions, le recul des atomes cibles. Les procédures de calculs basés sur la méthode de Monté Carlo sont utilisées dans plusieurs programmes de simulation tels que le TRIM, SRIM. Les principaux facteurs qui influeront sur la concentration des atomes implantés peuvent être étudiés. dans plusieurs programmes de simulation tels que le TRIM, SRIM. Les principaux facteurs qui influeront sur la concentration des atomes implantés peuvent être étudiés. Statut Signalé

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