| Etablissement | Université de Tébessa - Larbi Tébessi | | Affiliation | Département Science de la matière | | Auteur | TALBI, Nassima | | Directeur de thèse | BENMAKHLOUF Fella (Maitre de conférence) | | Filière | Physique des Matériaux | | Diplôme | Magister | | Titre | Densité de charge électronique des composés AlAs,
AlSb et leurs alliages au bord de la bande de conduction | | Mots clés | Densité de charge, AlAs, AlSb, bande de conduction | | Résumé | Le progrès qui a été réalisé en physique des semi-conducteurs dépend principalement des matériaux de quatrième groupe et les composés III-V. Les semi-conducteurs III-V cristallisant dans la structure zinc blende ont subit un progrès assez important à cause de leurs applications potentielles dans la réalisation et le développement des dispositifs optiques et optoélectroniques, les transistors bipolaires à hétérojonction, les modulateurs électro-optiques, les photo détecteurs diodes laser et diodes électroluminescentes en faisant ainsi l'objet de plusieurs conférences, ainsi que de nombreuses publications.
Une des propriétés qui découle de la structure de bande est la densité de charge des bandes d'énergie de valence, qui n'est autre que la distribution des électrons dans un volume bien défini lors de la formation d'une liaison.
Le caractère ionique ou covalent d'un solide est lié à la répartition de la charge entre les constituants.
L'étude de la topologie de la distribution de charge électronique est une méthode assez fructueuse pour caractériser les liaisons chimiques des composés semi-conducteurs.
Dans ce travail nous avons utilisé la méthode du pseudopotentiel empirique (E.P.M) afin de calculer des quantités physiques liées a la structure de bande tels que les gaps antisymétriques et les densités de charge des matériaux. | | Statut | Signalé |
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