| Etablissement | Université de Béchar - Mohamed Tahri | | Affiliation | Département de Technologie | | Auteur | KADDOURI, Naima | | Directeur de thèse | Tobbeche Souad (Maitre de conférence) | | Filière | Energétique | | Diplôme | Doctorat | | Titre | Propriétés de phototransport dans une structure p-i-n en silicium amorphe hydrogéné a-Si:H | | Mots clés | Silicium amorphe hydrogéné, structure p-i-n, phototransport, densité des états | | Résumé | Les propriétés photoconductrices du a-Si:H ont fait de la photoconductivité une technique de caractérisation puissante pour l'étude des mécanismes de phototransport et la détermination de la distribution de la densité des états siège de ces processus dans ce matériau. Les mesures expérimentales de la photoconductivité ont montré que les processus de phototransport entre les états étendus et les états localisés ou par saut (hopping) à travers les états localisés sont en fonction de la température, de l'intensité de la lumière et de la densité des états elle même. Plusieurs modèles ont été développés pour expliquer les différents aspects du photocourant dans une structure p-i-n en a-Si:H. Ces modèles se distinguent par la structure électronique et le mécanisme de recombinaison, et emploient la théorie de Simmons-Taylor. Cette dernière tient compte de la conduction par les porteurs libres dans les états étendus des bandes de conduction et de valence cependant elle néglige la conduction des porteurs à travers les états localisés de queue de bande (transport par saut) bien qu'il ait été prouvé expérimentalement et théoriquement que les transitions de saut à travers les états localisés peuvent dominer le processus de conduction pour les faibles températures. Les objectifs visés par les travaux de cette thèse sont, d’une part, de mieux comprendre les phénomènes de phototransport liés à la structure désordonnée du a-Si:H, et d’autre part, de développer un modèle avec insertion des transitions, antérieurement négligées, entre les états localisés dans une structure p-i-n en a-Si:H. Cette étude sera faite par simulation numérique du photocourant et sur une gamme couvrant les basses et les hautes températures | | Statut | Signalé |
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