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Etablissement Université de Batna 2 - Mustafa Ben Boulaid Affiliation Département d'Electronique Auteur BOUBAKOUR, Noureddine Directeur de thèse MAHAMDI Ramdane (Professeur) Filière Electronique Diplôme Magister Titre Modélisation bidimensionnelle de la diffusion du bore implanté dans des films de polysilicium dopé in-situ à l’azote Mots clés diffusion, modèle théorique, profils SIMS Résumé Dans la technologie CMOS standard, plusieurs études concernent la diffusion dans l’oxyde de grille, la réduction de la diffusion dans la grille dans le but d’obtenir une grille conductrice à base de polysilicium tout en limitant la pénétration du dopant dans l’isolant. Pour cela, un effort important a été consacré à la compréhension et à la modélisation des phénomènes complexes de la diffusion du dopant dans le silicium polycristallin. Dans ce travail, nous nous intéressons à la modélisation bidimensionnelle des phénomènes complexes de la diffusion du dopant introduit par implantation ionique à forte dose dans des dépôts de silicium polycristallin, obtenus par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression ou LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition), pour comprendre plus finement les mécanismes physiques mis en jeu dans la fabrication des composants intégrés. L’étude doit être élaborée suivant une approche théorique, basée sur le formalisme classique des lois de Fick. Statut Validé

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