Etablissement | Université de Batna 2 - Mustafa Ben Boulaid | Affiliation | Département d'Electronique | Auteur | BENACER, Imad | Directeur de thèse | Dibi Zohir (Maitre de conférence) | Filière | Electronique | Diplôme | Doctorat | Titre | Modélisation des transistors organiques | Mots clés | Transistor organique, OFETs, réseaux de neurones, algorithmes génétiques. | Résumé | Les transistors organiques en général connaissent un essor considérable pour leurs applications potentielles dans l’électronique futur. Ces dispositifs utilisent comme élément actifs des semi-conducteurs « plastique », c’est –à-dire à base de carbone et d’hydrogène. Parmi les avantages par rapport aux transistors classiques à base de silicium, cette nouvelle génération de composants allierait la flexibilité, la légèreté, la transparence et probablement un jour le prix de revient.
Ce travail de thèse a comme objectif d’apporter une contribution théorique à la compréhension du transport de charge dans les transistors à semi-conducteur organique. A cet effet, il faudra chercher les paramètres de fabrication qui permettent la réalisation de transistors à effet de champ pour en dégager les facteurs clés qui ont un fort impact sur le transport de charge. La densité des charges résiduelles dépend fortement de l’état de surface de l’oxyde. Il faudra donc s’intéresser à cette interface et la simuler en fonction de traitements plasma et par greffage de couches mono-moléculaires diverses. Sachant que les caractéristiques électriques telles que la mobilité des porteurs et la conductivité du film sont modulées par la densité de porteurs résiduels, des modélisations de la mobilité et de la conductivité du film en fonction de la température seront envisagées.
La modélisation et la simulation que la candidate aura à réaliser fera appel à l’intelligence artificielle des réseaux de neurones et les algorithmes génétiques. | Statut | Validé |
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