Modélisation quantique d'un transistor à effet de champ hétéro-jonction à base de Si Ge par la méthode des volumes finis

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Auteur	LAZNEK, Samira
Directeur de thèse	Mimoun Souri Mohamed (Docteur)
Filière	Physique
Diplôme	Magister
Titre	Modélisation quantique d'un transistor à effet de champ hétéro-jonction à base de Si Ge par la méthode des volumes finis
Statut	Vérifié