| Etablissement | Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas | | Affiliation | Département de Physique | | Auteur | SALIK, Loubna | | Directeur de thèse | BENOUATTAS Nour-Eddine (Docteur) | | Filière | Physique | | Diplôme | Magister | | Titre | Corrélation entre les propriétés physico-chimiques et électriques dans les structures Cu/Au/Si - effet du recuit thermique. | | Mots clés | Cuivre, or, siliciures de cuivre, silicium, RBS randoom, DRX, I(V), C(V). | | Résumé | Dans la technologie à grande intégration (VLSI), une bonne fiabilité des dispositif passe nécessairement par une meilleure compréhension de l’interdiffusion dans les Systèmes Cu/(métal ou siliciure)/Si. A cette fin il serait intéressant de comprendre les mécanisme qui gouvernent l’interdiffusion du cuivre et du silicium en présence d’une couche barrière. L’or est une barrière appropriée parce qu’il est immiscible dans le silicium et présente une plus faible résistivité électrique 2.35 mWcm pour les interconnections.
Des couche d’or et de cuivre d’environ 1000A° d’épaisseur seront évaporées par effet joule sous vide sur des substrats de silicium d’orientation (111) et (100). Afin de promouvoir la réaction interfaciale, les échantillons seront recuit à basse température entre 150°C et 600°C pendant 30min dans un tube en quartz.
L’évaluation des concentrations atomiques et le suivi de l’interdiffusion des différents éléments est déterminé par simulation des spectres de rétrodiffusion de particules alpha en mode “Random” (RBS) par le logiciel RUMP. L’identification des composés et de la texture des couche est effectuées par la diffraction des rayons X en mode q-2q. Une fois que les différentes structures sont bien identifiées, elles seront caractérisées par les techniques électriques courant-tension I(V) et capacité-tension C(V). Ceci permettra de faire une corrélation entre la microstructure des couches formées et la réponse électrique des différentes hétérostructures.
| | Statut | Vérifié |
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