| Etablissement | Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas | | Affiliation | Département de Physique | | Auteur | LEBGAA, Noudjoud | | Directeur de thèse | BOUAMAMA Khellil (Docteur) | | Filière | Physique | | Diplôme | Magister | | Titre | Calcul ab-initio des propriétés électroniques et structurales des semiconducteurs III-V | | Mots clés | Ab-initio, DFT, LDA, pseudopotentiel, semiconducteur | | Résumé | {rtf1fbidisansideff0{fonttbl{f0fromanfprq2fcharset0 Times New Roman;}{f1fnilfcharset0 MS Sans Serif;}}
viewkind4uc1pardltrparqjlang1024f0fs22 Les semi-conducteurs du type III-V sont tr'e8s int'e9ressants pour des applications technologiques, surtout pour la r'e9alisation des composants 'e9lectroniques et opto'e9lectroniques. Dans ce travail, nous 'e9tudierons les propri'e9t'e9s 'e9lectroniques et structurales de ces semi-conducteurs. Nous calculerons la structure de bandes, la structure cristalline, le param'e8tre du r'e9seau et leurs constantes 'e9lastiques. par
lang1036 Ces calculs seront faits 'e0 lrquote aide de la th'e9orie de la densit'e9 fonctionnelle (DFT). Les termes drquote'e9changes et de corr'e9lation seront calcul'e9s par lrquote approximation de la densit'e9 locale (LDA), en utilisant des formes standard pour d'e9terminer le potentiel drquote'e9change et de corr'e9lation. Les interactions 'e9lectrons-ions seront 'e9valu'e9es en utilisant des pseudopotentiels propos'e9s par Troullier et Martin et ceux propos'e9s par Bachelet, Hamann et Schluter. Ces derniers r'e9duisent consid'e9rablement le nombre des ondes planes utilis'e9 pour la convergence. Lrquote int'e9gration 'e0 travers la zone de Brillouin est faite en utilisant les points sp'e9ciaux de Chadi- Cohen et ceux de Monkhost-Pack. Le calcul des propri'e9t'e9s 'e9lastiques, sera fait en d'e9terminant le tenseur de contrainte (Stress tensor) pour des petites perturbations selon la m'e9thode introduite par Nielson et Martin.lang5121f1fs16par
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| | Statut | Vérifié |
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