| Etablissement | Université de Béjaia - Abderrahmane Mira | | Affiliation | Département de Physique | | Auteur | Djamel, Madi | | Directeur de thèse | Boubekeur, Birouk (Docteur) | | Filière | Physique | | Diplôme | Magister | | Titre | Adaptation d'un modèle théorique pour simuler l'oxydation thermique sèche du silicium polycristallin | | Mots clés | Oxydation thermique, silicium polycristallin | | Résumé | Le but de ce travail est la simulation, aussi fidéle et precise que possible, du processus de thermo-oxygene sec à pression atmospherique, des films Si-LPCVD fortement dopés in-situ au bore. Pour ce faire une meilleure comprehension des cinetiques d'oxydation et des mecanismes qui les gouvernent dans le cas du silicium monocristallin est necessaire. Il est donc primordial pour atteindre ce but de mettre en oeuvre des etudes pretiques et theoriques. Cela concerne en particuliers les operations suivantes: Caracterisation structurale et comportement electrique des films de silicium polycristallin et presentation des cinétiques experimentales d'oxydation thermique. Analyses des diverses etudes theoriques de modélisation de l'oxydation et élaboration du programme informatique de simulation. Etude et comparaison de l'evolution, en fonction des parametres de l'oxydation du monosilicium et du polysicium. | | Date de soutenance | 2003 | | Cote | 530M/57 | | Pagination | 77 f. | | Illusatration | figr. | | Format | 30 cm | | Notes | Bibliogr. | | Statut | Soutenue |
|